摘要: 本文给出悬臂梁式脉搏传感器,该结构由硅悬臂梁和悬臂梁根部四个压敏电阻构成的惠斯通电桥结构组成。基于压阻效应,当悬臂梁顶端受到脉搏力F作用时,悬臂梁发生弹性形变,引起四个扩散压敏电阻阻值发生变化,桥路输出电压变化,实现对脉搏力F的测量。基于MEMS技术在<100>晶向单晶硅衬底实现传感器芯片制作和封装,当工作电压V
DD = 5.0 V时,外力F = 100 mg作用下悬臂梁输出电压为111 mV,传感器灵敏度为0.54 mV/mg,准确度为5.90% F.S.。实验结果表明,该悬臂梁结构可实现脉搏力F测量且灵敏度较高。