摘要: 采用水热法制备了BiVO
4纳米星,并对晶体结构、形貌和光电化学性能进行了表征。结果显示制备的BiVO
4纳米星结晶性良好、形貌规则、尺寸均一,具有良好的光降解性能和光电流响应,可得到光电流密度值约为0.5 μA/cm
2。采用电化学莫特–肖特基法测量了其平带电位为0.27 V vs. NHE,并定量计算了导带位置为0.25 V vs. NHE,结合光学吸收谱确定了价带位置为2.66 V vs. NHE,最后给出了BiVO
4纳米星的能级结构图。
Abstract:
BiVO4 nano-stars were prepared through a hydrothermal method, the crystal structure, morphology and optical electrochemical property were characterized. The results show that BiVO4 nano-stars own good crystallinity, regular morphology, uniform size, as well as the good photodegradation ability and photocurrent response, and the photocurrent density of about 0.5 μA/cm2. The flat band potential was measured as 0.27 V vs. NHE by electrochemical Mott-Schottky method, and the conduction band position was calculated as 0.25 V vs. NHE, and the valence band position was determined as 2.66 V vs. NHE combined with optical absorption spectrum. Finally, the energy level structure diagram of BiVO4 nanostar was given.
1. 引言
钒酸铋(BiVO4)是一种新型可见光响应的半导体光电材料,具有较窄的禁带宽度(2.4 eV)、化学稳定性好、无毒性等优点,近年来被广泛应用于半导体光催化、半导体发光材料、光电探测器等研究 [1]。但是块体BiVO4材料的反应动力学过程较慢、体内复合严重,限制了其光电化学性能。为了克服这种限制,通过不同的制备方法将BiVO4纳米化,形成纳米线、纳米花、纳米片等,可以有效提高其光电活性 [2]。近期,具有纳米星形结构的BiVO4光催化材料由于制备简单、比表面积大、具有高光催化活性、可扩展性强等,被广泛报道应用于环境污染物降解和零偏压光解水反应等 [3]。除此以外,还有研究报道了基于BiVO4纳米星材料的纳米电动机,可实现光照下运动、捕获和光降解有机物 [4]。而在深入研究BiVO4纳米星材料、器件的光催化微观机理时,需要对其能带结构进行测定,以进一步分析光催化反应的热力学过程、电荷转移路径、化学反应活性物种等。本文采用水热法制备了BiVO4纳米星材料,并用电化学平带电位法结合光学吸收谱测定了其能带结构。
2. 实验部分
2.1. 实验方法
采用水热法制备了钒酸铋纳米星材料,制备方法如下:将120 mg的Bi(NO3)3·5H2O (CAS:177733-57-2,阿拉丁)和200 mg的Na3VO4·12H2O (CAS:13721-39-6,阿拉丁)溶解于80 mL去离子水中。在超声充分溶解混合以后,将混合溶液转移到100 mL容积的聚四氟乙烯内衬的反应釜中。放入烘箱中160℃温度下加热8小时。反应结束后,将黄色沉淀用去离子水和无水乙醇洗涤三次,然后离心收集。再放入真空干燥箱中60℃下干燥10小时获得黄色粉末即为BiVO4纳米星。
2.2. 测试和表征方法
BiVO4纳米星的晶体结构采用X射线衍射(XRD, Smartlab SE)表征,微观形貌由扫描电子显微镜(SEM, JEOL JSM-6700F)表征,光学吸收谱由紫外可见分光光度计(Shimadzu UV-2600)测得。光降解罗丹明B (CAS:81-88-9,阿拉丁)采用氙灯光源,在60 mL浓度为10 mg/L的罗丹明B溶液中加入20 mg的BiVO4纳米星材料,每间隔8 min取2 mL溶液离心后测试其光吸收强度,并计算浓度变化C/C0值,其中C0为初始光吸收强度。电化学瞬态光响应性能、阻抗、平带电位采用电化学工作站(CHI 650E)由三电极法测得,将BiVO4纳米星粉末混入杜邦膜水溶液中并滴涂于导电玻璃(FTO)上,待干燥后用绝缘胶水封装成1 × 1 cm2的窗口作为工作电极,用金属铂片作对电极,Ag/AgCl (3.5 M KCl)作为参比电极,电解液为0.5 M Na2SO4溶液(pH = 6) (CAS:7757-82-6,阿拉丁)。所有电位都采用如下公式统一到标准氢电极(NHE)电位:E(NHE) = E(Ag/AgCl) + 0.197 V。瞬态光响应曲线和阻抗谱测试时未加偏压,阻抗谱频率范围为0.1 Hz到10 kHz,平带电位采用电化学莫特–肖特基法测得。
3. 结果与讨论
3.1. 晶体结构与形貌分析
Figure 1. (a) XRD pattern and (b) SEM image of BiVO4 nanostar
图1. BiVO4纳米星的(a) XRD图谱和(b) SEM图像
图1(a)所示为BiVO4纳米星的XRD图谱,可以看到与单斜BiVO4 (JCPDS No. 14-0688)标准谱吻合较好。2θ角度为18.66˚,18.99˚,28.95˚,30.55˚,34.99˚,35.22˚,40.04˚,42.46˚,46.71˚,50.31˚,53.24˚,58.53˚和59.26˚分别对应BiVO4的(1 1 0) (0 1 1) (1 2 1) (0 4 0) (2 0 0) (0 0 2) (2 1 1) (0 5 1) (2 4 0) (2 0 2) (1 6 1) (3 2 1)和(1 2 3)晶面。图1(b)给出了制备的BiVO4纳米星的微观形貌图。可以看到,BiVO4晶体为规则的四角星形,每一个角都是由树枝状晶体组成。每一个BiVO4纳米星尺寸约为800 nm,较小的晶体尺寸以及晶体中树枝状结构可以有效增大BiVO4的比表面积,加快与反应物接触面积和物质交换速度。
3.2. 光降解和光电化学性能分析
Figure 2. (a) Photodegradation curve, (b) Transient photocurrent spectrum and (c) Impedance spectrum of BiVO4 nanostars
图2. BiVO4纳米星的(a) 光降解曲线,(b) 瞬态光电流谱和(c) 阻抗谱
图2(a)为BiVO4纳米星材料降解罗丹明B性能曲线。可以看到,在光照下随着时间增大,罗丹明浓度逐渐降低,在48 min时罗丹明浓度降为初始值的64%,说明BiVO4纳米星具有较好的有机物光降解能力。图2(b)是BiVO4纳米星光电极的瞬态电流响应曲线,测试时光源为模拟太阳光源,且没有施加电压。随着光照的施加和移除,光电流出现瞬间增大和降低,反映了BiVO4纳米星光电极较好的光电响应能力。由光电流最高值和最低值之差,可得到光电流密度值约为0.5 μA/cm2。图2(c)是BiVO4纳米星光电极的阻抗谱,可以看到在光照下该电极的阻抗显著降低。
3.3. 光学吸收性能分析
Figure 3. Optical absorption spectra of BiVO4 nanostars
图3. BiVO4纳米星的光学吸收谱
图3(a)所示为BiVO4纳米星的光学吸收谱。可以看到,BiVO4纳米星具有较弱的可见光吸收度,吸收边位于520 nm附近,在480 nm以下具有较强的光吸收能力。为了获得BiVO4纳米星材料的禁带宽度值,图3(b)给出了换后的(αhν)2-hν图,其中α为吸收值,hν为激发光的能量。根据图中辅助线交点可得BiVO4纳米星材料的禁带宽度为2.41 eV。
3.4. 平带电位及能带结构分析
Figure 4. Mott-Schottky curves of BiVO4 nanostars at different frequencies
图4. BiVO4纳米星在不同频率下的莫特–肖特基曲线
BiVO4纳米星的平带电位由电化学莫特–肖特基测试获得。将光电极置入电解质溶液中,由于半导体与电解质载流子浓度显著不同,形成的单边突变结电容C可由莫特–肖特基公式表示如下 [5]:
(1)
公式中的e是单位电子电量,ε是相对介电常数(BiVO4为35 [6]),ε0是真空介电常数,ND是载流子浓度(室温强电离条件下n型半导体载流子浓度约等于施主杂质浓度),V是施加的电压,Vfb是平带电位(即使半导体费米能级拉平到与电解质保持一致所需要的电压) [7]。由图4可以看到,曲线斜率为负值,说明BiVO4纳米星为n型半导体。在不同频率下,莫特–肖特基曲线全部相交于一点,该点即为平带电位Vfb,由图可得该值为0.27 V vs. NHE。由于在标准氢电极下,平带电位与半导体费米能级EF相同,因此制备的BiVO4纳米星费米能级EF为0.27 V vs. NHE。
在室温强电离区下,n型半导体的导带能级EC与EF关系可由下式表示 [8]:
(2)
其中ND是载流子浓度,可由公式(1)计算得到,而NC是导带有效状态密度,可表示为 [8]:
(3)
其中m*是导带电子的有效质量(BiVO4的m* = 2.05m0 [9])。由公式(1)可计算得到载流子浓度ND为3.7 × 1019 cm−3,由公式(3)可得NC为7.3 × 1019 cm−3,带入公式(2)可得EC为0.25 V vs. NHE。最后结合光学吸收谱所得禁带宽度Eg:
(4)
可得BiVO4纳米星价带边位置EV值为2.66 V vs. NHE。最终可得能级图如图5所示。
Figure 5. Energy level structure diagram of BiVO4 nanostar
图5. BiVO4纳米星的能级结构图
4. 总结
本文采用水热法制备了BiVO4纳米星半导体材料,表征结果显示其结晶性良好、形貌规则、尺寸均一,性能测试展示了良好的光降解性能和光电流响应。采用电化学莫特–肖特基法测量了其平带电位,并计算了导带位置,结合光学吸收谱确定了其价带位置,最后给出了BiVO4纳米星的能级结构图。
致谢
本论文受到大学生创新创业训练计划项目(202110361100)和安徽省高校自然科学研究重点项目(KJ2020A0330)资助。作者向指导教师郑灵程老师致以诚挚的谢意!