石墨烯及其化学掺杂综述Review of Graphene and Its Chemical Doping
黄绍书
现代物理Vol.13 No.1, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/MP.2023.131002, January 20 2023
掺杂非金属元素B、N和O对单层PC6电学和磁学性质的影响Effects of Doped Non-Metallic Elements B, N and O on Electronic and Magnetic Properties of Monolayer PC6
高佳喜, 刘光华
现代物理Vol.12 No.6, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/MP.2022.126015, November 16 2022
N、Al、P替位掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响Effect of Si Adsorption on Graphene Doped with N, Al and P
胡功臣, 李艳慧, 徐庆强, 柯三黄 国家自然科学基金支持
应用物理Vol.1 No.3, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/app.2011.13014, October 26 2011
第一性原理研究单个Si原子掺杂石墨烯结构的电子性质Electronic Properties of Single Si At-om-Doped Graphene: A First Principle Study
宋仁刚, 李文亮, 刘香全, 徐岩
凝聚态物理学进展Vol.6 No.2, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/CMP.2017.62004, May 27 2017
采用光子晶体禁带法检测溶液浓度的新方法研究New Method of Solution Concentration Detection Using Photonic Band Gap
阿不都热苏力•阿不都热西提 国家自然科学基金支持
应用物理Vol.7 No.9, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/APP.2017.79034, September 19 2017
双轴应变和外部电场对单层MgI2电子结构的调控Tuning the Electronic Structure of Monolayer MgI2 by Biaxial Strain and External Electric Field
钱胜辉, 高佳喜, 刘光华
现代物理Vol.11 No.5, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/MP.2021.115013, October 13 2021