V. P. Park-hutik, V. I. Shershulsky. Theoretical modelling of porous oxide growth on aluminium. Journal of Physics D: Applied Physics, 1992, 25(8): 1258-1264.

液压往复密封用V型密封圈密封性能研究
Study on Sealing Performance of V-Ring for Hydraulic Reciprocating Seal

付亚康, 管树鹏, 于承泽   

应用物理Vol.12 No.7, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/APP.2022.127051, July 26 2022

基于1²A′基态势能面的H + DBr (v = 0, j = 0)反应几率的理论研究
Theoretical Study of the Probabilities for the Reaction H + DBr (v = 0, j = 0) on the 1²A' Potential Energy

王玉良, 李 慧, 宿德志, 周鸣宇   

应用物理Vol.9 No.5, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/APP.2019.95027, May 14 2019

分子焊接技术提高V₂C的锂离子存储性能
Improving the Lithium-Ion Storage Performance of V₂C with Molecular Welding Technology

付首超   

应用物理Vol.14 No.2, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/APP.2024.142005, February 26 2024

电化学刻蚀多孔GaN材料的研究
Study on Electrochemical Etching of Porous GaN Materials

张桐鹤, 李 林, 苑汇帛, 曾丽娜, 张 晶, 李再金, 曲 轶, 马晓辉, 刘国军    国家自然科学基金支持

现代物理Vol.8 No.6, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/MP.2018.86033, November 21 2018

2~5 μm中红外波段GaSb半导体材料研究进展
Research Progress of 2 - 5 μm Mid-Infrared GaSb Semiconductor Materials

余 沛, 房 丹, 唐吉龙, 方 铉, 王登魁, 王新伟, 王晓华, 魏志鹏    国家自然科学基金支持

应用物理Vol.8 No.1, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/APP.2018.81007, January 30 2018

结电容对不同光敏元尺寸InGaAs探测器I-V特性测试的影响
Impact of Junction Capacitance on Measurement of I-V Characteristic of InGaAs Detectors with Different Photosensitive Element Sizes

贺香荣, 李 淘, 徐勤飞, 杨 波    国家自然科学基金支持

光电子Vol.9 No.1, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/OE.2019.91002, February 1 2019