Hlramatsu, K., Detchprohm, T. and Akasakl, I. (1993) Relaxation mechanism of thermal stresses in the heterostructure of GaN grown on sapphire by vapor phase epitaxy. Japanese Journal of Applied Physics, 32, 1528-1533.

相关文章:
在线客服:
对外合作:
联系方式:400-6379-560
投诉建议:feedback@hanspub.org
客服号

人工客服,优惠资讯,稿件咨询
公众号

科技前沿与学术知识分享