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Castro, E.V., Novoselov, K.S., Morozov, S.V., Peres, N.M.R., Lopes dos Santos, J.M.B., Nilsson, J., Guinea, F., Geim, A.K. and Castro Neto, A.H. (2007) Biased bilayer graphene: Semiconductor with a gap tunable by the electric field effect. Physical Review Letters, 99, Article ID: 216802.

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