Ti(20 nm)/Al(30 nm)/P型4H-SiC LDMOSFET欧姆接触的改善
The Improvement of Ohmic Contacts Property in P-Type 4H-SiC LDMOSFET Using Ti(20 nm)/Al(30 nm) Electrodes
裴紫微, 陈 晨, 杨 霏, 许恒宇, 张 静, 万彩萍, 刘金彪, 李俊峰, 金 智, 刘新宇
智能电网
Vol.5 No.6, December 30 2015, PDF,
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DOI:10.12677/SG.2015.56036 被引量