1. 引言
随着化石燃料的不断消耗和环境问题的出现,人们越来越重视新能源材料的开发利用。锂离子电池具有能量密度高、输出功率大、自放电低、工作温度范围宽、无记忆效应、环境友好等优点,得到了广泛的应用。几十年来,使用有机液体电解质的传统锂离子电池已广泛应用于手机、电脑、电动汽车等各种电气设备中 [1]。但是,电解液在短路情况下容易燃烧并引起爆炸,存在很大的安全隐患。固体电解质具有良好的热稳定性和电化学稳定性,受到了广泛的关注 [2]。迄今为止,研究人员已经研究并报道了多种固体电解质,如氧化物、硫化物、氢化物、薄膜和聚合物 [3]。其中,氧化物Li7La3Zr2O12(LLZO)具有较高的离子电导率、较宽的电化学窗口和对锂金属的良好化学稳定性,因此LLZO被认为是一种很有前途的固体电解质候选材料 [4]。
LLZO是Murugan等人于2007年通过传统的固相法在1230℃的高温下首次合成的,最终得到的样品在298 K时获得了2.4 × 10−4 S/cm的离子电导率 [5]。随后,越来越多的研究人员开始关注这种材料。实验发现LLZO两种结构的离子电导具有较大的差异,在室温下,立方相(c-LLZO)的电导率比四方相的电导率大约高1~2个数量级。但立方LLZO在室温下不稳定,需要在高温的条件下合成。研究者们为了获得具有更高离子电导率的立方相LLZO,尝试了各种方法。一方面,通过新的制备工艺及方法在较低温度下制备立方相结构的LLZO,例如溶胶–凝胶法、场辅助烧结和热等静压(HIP)烧结 [6] [7];另一方面,通过引入超价态的阳离子(Al3+、Zn2+、Ga3+、Y3+、Ta5+、Sb3+、Mg2+、Nb5+、Rb+、Sr2+等) [8] - [13] 稳定其立方相结构,从而保证具有高的离子电导率。
在各种掺杂剂中,氧化镓可以很好地稳定LLZO的立方相并有效提高其离子电导率,引起了人们的研究兴趣 [9] [14]。理论上,镓掺杂的LLZO的离子电导率可以达到1 mS/cm。然而,在实验过程中,由于需要高温的实验条件,导致锂元素大量损失,实际离子电导率要低得多。于是,如何在较低温度下制备LLZO是一个我们需要思考的问题。传统的固相法与陶瓷的制备工艺类似,因此我们可以通过添加一些烧结助剂,如氧化铝和二氧化硅等来降低c-LLZO的烧结温度并抑制杂相的生成。在这里,我们通过传统的固相法研究了烧结助剂Al2O3对Li6.1Ga0.3La3Zr2O12(LLZO-Ga)的影响。我们发现添加适量的Al2O3有效地提高了LLZO-Ga的离子电导率并降低了烧结温度。最终在1050℃烧结温度时获得了较高的离子电导率。
2. 实验
2.1. 试剂来源与规格
试剂来源与规格如表1所示。

Table 1. Reagent sources and specifications for synthesizing Li6.1Ga0.3La3Zr2O12
表1. 实验中所用试剂来源及规格
2.2. 实验仪器
实验制备及表征中主要使用的仪器如表2所示。

Table 2. The main instruments used in experiments
表2. 实验制备及表征中主要使用的仪器
2.3. 实验制备过程
采用传统固相法制备Li7-3xGaxLa3Zr2O12,本实验中以优化过的x = 0.3为配比,并加入Al2O3为助烧剂,具体步骤如下:
1) 配料
根据化学计量比计算药品用量,依次用电子天平准确称量LiOH·H2O (99.0%,成都市科龙化工试剂厂),La2O3 (99.95%,成都市科龙化工试剂厂),ZrO2 (99.0%,成都市科龙化工试剂厂),Ga2O3 (99.99%,成都市科龙化工试剂厂),Al2O3 (99.99%,阿拉丁(Aladdin)试剂),为了补偿 Li在高温烧结时的损耗,LiOH·H2O过量称取15%。
2) 球磨
将配好的原料装入填有氧化锆球的聚乙烯球磨罐中,并加入异丙醇至球磨罐内壁高约2/3处。将封好的球磨罐置于行星球磨机内,设置好转速,均匀球磨12小时,使原料得到充分的研磨和混合。球磨完成后将浆料倒入玻璃器皿中,放置于烘箱,在70℃干燥8 h左右。
3) 预烧
样品烘干后,将其置于研钵磨成粉末状,然后转移至氧化铝坩埚中,放入马弗炉中进行预烧。预烧方式为在常温下以2℃/min的升温速率升至900℃,并在900℃保温8小时,然后再以2℃/min的降温速率降温至500℃,最后是样品随炉冷却至室温,从而将杂质水分析出,得到具有一定晶体结构的前驱体。
4) 二次球磨
待烧结完成后坩埚冷却至室温,将粉体转移到球磨罐中,加入异丙醇之后进行二次球磨,球磨时长为10小时。球磨完成后将浆料倒入玻璃器皿中,放置于70℃的烘箱直至烘干。
5) 成型
由于LLZO的粉末比较蓬松,不需要造粒,因此,只需将烘干的样品放置于研钵磨成均匀的细粉用于压片成型。用天平称取0.3 g左右的母粉颗粒,置于压片磨具中,使用压片机在10 MPa的压力下压成直径为10 mm、厚度约为1.0 mm的圆片坯体。
6) 烧结
在样品圆片的上下都铺好母粉,然后放在马弗炉中烧结,升温速率为2℃/min,升温至1050℃、1100℃、1150℃等不同温度,并保温烧结12小时。烧结完成后,将样品进行XRD和SEM等结构表征测试,并将样品的两个表面镀金后进行电化学性能测试。
3. 实验结果分析与讨论
3.1. 烧结温度对Li6.1Ga0.3La3Zr2O12固态电解质的影响
首先,我们利用X射线衍射仪对预烧粉末以及不同温度下烧结的样品进行了物相分析,图1为Li6.1Ga0.3La3Zr2O12在900℃预烧以及在1050℃、1100℃、1150℃烧结后的XRD图。从图中可以看到,900℃下的预烧粉末形成了很好的前驱体,各个主峰与标注图谱(JCPDS:80-0457)能够很好的对应。对于三个不同温度下烧结后的样品,从图1可以看到,也很好地生成了立方相的LLZO。在1050℃时,合成的LLZO-Ga较为纯净,几乎没有杂相。但是,随着温度的升高,在1100℃和1150℃时都有较为明显的La2Zr2O7杂相出现,这主要是由于温度的升高加剧了Li的损耗。
图2是在900℃下预烧后的Li6.1Ga0.3La3Zr2O12粉末的SEM图像。从图中我们可以看到预烧后的粉末颗粒具有极小的微观尺寸,图2(a)中的颗粒大小基本上都在几个微米左右。进一步放大后,如图2(b),我们发现预烧的LLZO-Ga存在许多纳米级的小晶粒,在高温下小晶粒开始生长聚集,形成了3 µm左右的大颗粒。为了进一步探究烧结温度对于LLZO-Ga形貌的影响,我们对不同温度下制备的LLZO-Ga样品进行了SEM表征,见图3。从图3(a)和图3(d)可以看出,在1050℃下烧结得到的样品结晶性较差,表面存在较多的孔洞,致密性较差。随着温度的升高,1100℃烧结得到的电解质片形成了微米级的晶粒,从图3(b)中可以看到明显的晶界,致密度得到了较大的提升。当温度进一步升高到1150℃时,如图3(c)和图3(f)所示,可以看出陶瓷片的密度进一步增加,但表面结构已经被破坏,不能观察到明显的晶界存在,有过烧的迹象。因此,可以初步推断1100℃是烧结Li6.1Ga0.3La3Zr2O12的较优温度。

Figure 1. XRD patterns of solid-state Li6.1Ga0.3La3Zr2O12 electrolytes
图1. Li6.1Ga0.3La3Zr2O12固态电解质的XRD衍射图谱

Figure 2. SEM images of Li6.1Ga0.3La3Zr2O12 powder sintered at 900˚C
图2. 900℃下预烧的Li6.1Ga0.3La3Zr2O12粉末的SEM图

Figure 3. SEM images of Li6.1Ga0.3La3Zr2O12 sintered at different temperatures (1050˚C, 1100˚C, 1150˚C)
图3. 不同温度下(1050℃、1100℃、1150℃)合成的Li6.1Ga0.3La3Zr2O12的表面SEM图
为了探究烧结温度对于Li6.1Ga0.3La3Zr2O12固态电解质电化学性能的影响,我们将样品镀金后进行了电化学测试。图4是用Agilent 4294A阻抗分析仪测得的阻抗数据。从图4(b)我们可以清楚地看到,在1050℃下烧结时,阻抗谱呈现出一个很大的半圆形雏形,阻抗的数值极大,这很可能是由于其烧结温度较低没有形成致密的结构。当烧结温度提高到1100℃时,阻抗数据发生了急剧下降,总的阻抗约为2300 Ω。但当温度进一步升高时,阻抗数据有一定的上升,约为4400 Ω。这与之前SEM的分析结果相吻合。之后,我们进一步将1100℃下烧结的样品的阻抗数据进行拟合,结果如图4(a)。其中,等效电路中的Rs、R1 (CPE1)和W1分别为晶粒电阻、晶界电阻(电容)和电极Warburg阻抗。通过计算公式:σ = L/(S × R) (σ:电导率;L:样品厚度;S:样品表面积;R:总电阻)得到1100℃下烧结的样品的电导率为0.047 mS/cm。
(a) (b)
Figure 4. Impedance spectra for (a) Li6.1Ga0.3La3Zr2O12 sintered at 1100˚C; (b) Li6.1Ga0.3La3Zr2O12 sintered at different temperatures (1050˚C, 1100˚C, 1150˚C)
图4. 在不同温度下(1050℃、1100℃、1150℃)烧结的Li6.1Ga0.3La3Zr2O12固态电解质的阻抗图谱
3.2. 烧结助剂Al2O3对于Li6.1Ga0.3La3Zr2O12固态电解质的影响
通过上文可知,未引入烧结助剂的Li6.1Ga0.3La3Zr2O12固态电解质最佳烧结温度为1100℃。引入Al2O3烧结助剂后,由于Al2O3在烧结时能够起到辅助烧结的作用,加速样品的致密化。因此,我们在实验优化烧结温度结果的基础上,设定烧结温度为1050℃,探究了不同质量分数比的Al2O3的引入对于LLZO-Ga固态电解质的影响。我们在配料时额外加入不同质量分数(0.2 wt%、0.5 wt%、1 wt%、2 wt%、3 wt%、4 wt%)的Al2O3作为助烧剂,预烧温度和之前一样,在900℃预烧8个小时,将引入不同质量分数Al2O3的原料最终在1050℃烧结12个小时。
图5是引入不同质量分数Al2O3的Li6.1Ga0.3La3Zr2O12固态电解质在900℃预烧得到的前驱体粉末的 XRD图谱,从图中可以看到引入Al2O3对于LLZO-Ga固态电解质的物相基本没有影响。对于Al2O3不同引入量的样品,XRD的各个主峰与标注图谱(JCPDS:80-0457)能够很好地对应。除了质量分数为0.2 wt%时,样品存在少量的La2Zr2O7杂相,其他样品都是纯的立方相结构。图6是引入不同质量分数Al2O3的LLZO-Ga固态电解质在1050℃烧结得到的固体电解质样品的XRD图谱,作为对比,未引入Al2O3烧结助剂的LLZO-Ga固态电解质的烧结温度为1100℃。从图中我们可以看到,Al2O3烧结助剂引入的质量分数为0.2 wt%、0.5 wt%、1 wt%、2 wt%时,电解质样品依然是较为纯净的立方相结构,当引入助烧剂的量进一步增大时,样品的XRD图谱出现许多的杂峰,这极有可能是过量的助烧剂带来的影响,使得原料在反应时出现了众多杂相。
图7是引入不同质量分数Al2O3 (0.2 wt%、0.5 wt%、1 wt%、2 wt%、3 wt%和4 wt%)的Li6.1Ga0.3La3Zr2O12固态电解质在1050℃烧结得到样品的表面形貌图。从图中可以看到,少量Al2O3烧结助剂的添加可以很

Figure 5. XRD patterns of Li6.1Ga0.3La3Zr2O12 powders with different Al2O3 additions calcined at 900˚C for 8 h in the air
图5. 引入不同质量分数Al2O3的Li6.1Ga0.3La3Zr2O12固态电解质在900℃预烧得到的前驱体粉末的XRD图谱

Figure 6. XRD patterns of Li6.1Ga0.3La3Zr2O12 with x wt% Al2O3 (x = 0.2, 0.5, 1, 2, 3, 4) sintered at 1050˚C and without Al2O3 sintered at 1100˚C for 12 h in the air
图6. 引入不同质量分数Al2O3 (x = 0.2, 0.5, 1, 2, 3, 4)的Li6.1Ga0.3La3Zr2O12固态电解质在1050℃烧结以及未引入助烧剂时在1100℃烧结得到的样品的XRD图谱

Figure 7. SEM images of fractured surface of Li6.1Ga0.3La3Zr2O12 with x wt% Al2O3 (x = 0.2, 0.5, 1, 2, 3, 4) ceramics sintered at 1050˚C in the air
图7. 引入不同质量分数Al2O3 (0.2 wt%、0.5 wt%、1 wt%、2 wt%、3 wt%、4 wt%)的Li6.1Ga0.3La3Zr2O12固态电解质在1050℃烧结得到样品的表面形貌图
好地促进LLZO-Ga固态电解质的烧结过程,添加0.2 wt%和0.5 wt% Al2O3的固态电解质样品在1050℃下烧结形成了致密的结构,表面没有看到明显的晶粒结构。随着添加的Al2O3的含量增加,电解质致密度增大,从图7(c)和图7(d)可以看到电解质表面出现微米级的晶粒紧密相连。当Al2O3的添加量进一步增加至3 wt%、4wt%时,样品的致密度开始降低,晶粒与晶粒之间存在间隙,电解质表面出现较多的孔洞。通过阿基米德排水法测量了样品的密度,结果见表3。可以看到LLZO-Ga固态电解质样品的密度随着Al2O3添加量的增加先升高再降低,当Al2O3的添加量为2 wt%时,电解质的相对密度最大,为96.63%。图8是引入2 wt%Al2O3烧结助剂的LLZO-Ga固态电解质在1050℃烧结得到样品的截面形貌图及其元素分布,由于电解质内部锂的挥发不能得到及时的补充,可以在截面图中看到电解质内部存在许多微小的孔洞。同时,从元素分布图可以看到La, Zr, O, Ga和Al元素都均匀地分布在电解质的内部。

Figure 8. Cross-sectional SEM micrographs (gray images) and the EDS mapping results (color images) for Li6.1Ga0.3La3Zr2O12 ceramics with 2 wt% Al2O3 prepared at 1050˚C
图8. 引入2 wt%Al2O3烧结助剂的Li6.1Ga0.3La3Zr2O12固态电解质在1050℃烧结得到样品的截面形貌图及其元素分布
图9是引入不同质量分数Al2O3 (0.2 wt%、0.5 wt%、1 wt%、2 wt%、3 wt%、4 wt%)的Li6.1Ga0.3La3Zr2O12固态电解质在1050℃烧结得到样品的阻抗图谱,右上角是其高频区放大图。从图中可以直观地看到当引入Al2O3的质量分数为4 wt%时,样品的阻抗数据变得无比巨大。从放大图可以看到除去引入Al2O3的质量分数为4 wt%的样品,其他样品的阻抗值都小于1000 Ω,对比于未引入Al2O3的LLZO-Ga固态电解质的2260 Ω有了明显的降低。通过拟合计算得到了各个样品的离子电导率,见表3。从表3中可以看到当引入Al2O3的质量分数为2 wt%时,样品得到最高的离子电导率为1.28 mS/cm。其他样品的离子电导率也基本高于1 × 10−4 S/cm,相比于未引入Al2O3的LLZO-Ga固态电解质(0.047 mS/cm),引入Al2O3的样品的离子电导率有了很明显的提升。
图10是引入2 wt%Al2O3烧结助剂的Li6.1Ga0.3La3Zr2O12固态电解质在不同温度下烧结得到的样品的阻抗谱图。从图中可以看到样品的阻抗随着烧结温度的升高先减小再增加,并当烧结温度为1050℃时样品的阻抗值最小。通过控制变量,我们再一次确定了当Al2O3的引入量为2wt%时,样品在1050℃烧结时获得最高的离子电导率,为1.28 mS/cm。

Figure 9. Impedance spectra for Li6.1Ga0.3La3Zr2O12 with x wt% Al2O3 (x = 0.2, 0.5, 1, 2, 3, 4) sintered at 1050˚C
图9. 引入不同质量分数Al2O3 (0.2 wt%、0.5 wt%、1 wt%、2 wt%、3 wt%、4 wt%)的Li6.1Ga0.3La3Zr2O12固态电解质在1050℃烧结得到样品的阻抗图谱

Table 3. Total resistance and total conductivity of Li6.1Ga0.3La3Zr2O12 with x wt% Al2O3 (x = 0.2, 0.5, 1, 2, 3, 4) sintered at 1050˚C
表3. 引入不同质量分数Al2O3 (0.2 wt%、0.5 wt%、1 wt%、2 wt%、3 wt%、4 wt%)的Li6.1Ga0.3La3Zr2O12固态电解质在1050℃烧结得到样品的总阻抗与离子电导率

Figure 10. Impedance spectra for Li6.1Ga0.3La3Zr2O12 with 2 wt% Al2O3 sintered at different temperatures
图10. 引入2 wt%Al2O3烧结助剂的质Li6.1Ga0.3La3Zr2O12固态电解质在不同温度条件下烧结得到的样品的阻抗谱图
4. 结论
本文采用传统固相法制备了Ga3+掺杂的LLZO固体电解质,Ga3+的引入可以很好地稳定LLZO的立方相结构,获得具有良好电化学性能的LLZO-Ga固体电解质。我们探究了不同温度的烧结条件对于LLZO-Ga固体电解质电化学性能的影响,最终确定烧结的最佳温度在1100℃。但由于固相法的烧结温度较高,锂大量挥发,离子电导率不够理想。为了进一步提高LLZO-Ga的电化学性能,我们通过引入不同含量的Al2O3助烧剂降低了烧结温度,并显著提高了LLZO-Ga固体电解质的离子电导率。研究发现,当助烧剂Al2O3的引入量为2 wt%时,样品在1050℃烧结时获得最高的离子电导率,达到1.28 mS/cm。
致谢
感谢国家重大科学研究计划青年科学家专题项目(2013CB934700)和四川省科技项目(2020YFH0047)资助。
NOTES
*通讯作者。