基本情况

徐士杰（S. J. Xu），博士，香港大学物理系教授，中科院苏州纳米所客座研究员和西安交通大学客座教授。

 

研究领域

半导体光物理及半导体光电子器件物理

 

教育背景

1995年 博士后，中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室

1993年 博士，西安交通大学电子工程系

1989年 硕士，西安交通大学电子工程系

1984年 学士，河北工学院（现更名为河北工业大学）自动化工程系

 

工作经历

2014年至今 教授，香港大学物理系

2007年至2014年 副教授，香港大学物理系

2001年至2007年 助理教授，香港大学物理系

1999年至2001年 研究助理教授，香港大学物理系和化学系

1997年至1998年 研究员，新加坡材料研究院

1995年至1996年 新加坡科技局博士后，新加坡国立大学电气与电子工程系

1993年至1995年 博士后，中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室

 

论文发表

已在国际权威应用物理学、光学以及材料科学杂志上发表140多篇论文，其中包括近40篇发表在“应用物理快报《Applied Physics Letters》”上。这些学术论文的SCI引用次数超过3000次（Researcher ID：D-3149-2009. http://www.researcherid.com/rid/D-3149-2009），其中7篇论文单篇引用次数超过百次，当前H指数27。已在有关国际学术会议上作邀请报告30余次。多年来主要在半导体自组装与化学合成量子点的研究上取得了有重要国际影响的成果，一系列有关量子点生长、结构表征、理论计算、光学性质研究以及器件应用的文章已在国际著名杂志上发表，对这些论文的SCI所纪录的引用次数超过700次。例如，1998年我们和国际上的其他研究小组同时独立地研制出半导体自组装量子点红外探测器原型器件，并在《Applied Physics Letters》上全面地报导了器件的性能，并发现负微分光电导效应。到目前为止该单篇论文已被国际同行引用达128次，并被日本和美国的理论小组作为模范数据进行模拟和引用。在国际上较早地将快速热退火应用于调节和改善自组装量子点的尺寸分布、电子结构和光学性质，并首次模拟多层量子点热扩散的X-射线衍射数据，证明即使低温生长的InAs/GaAs自组装量子点仍然存在严重的原子互扩散现象。报道这些成果的三篇学术论文的SCI引用次数达210次。此外，还在宽禁带半导体材料的光学性质研究上也取得了一些有重要国际影响的结果，如在GaN外延膜中首次发现一种具有光学活性的亚稳蓝光缺陷态，而且发现它和导致黄光的深缺陷有着密切关系。还系统研究了异质衬底上生长的GaN外延膜残余应力与其光学性质的关系，揭示出残余应力与带边荧光峰位的线性关系。有关此项研究的两篇学术论文自1998年和2003年在《Applied Physics Letters》上报导后至今的SCI引证次数已达252次，产生了广泛的学术影响。发展出一个局域化态集体荧光的定量模型，该理论首次在全温度范围定量地诠释了有关局域化态集体的荧光的温度依赖的反常行为。而且，我们证明该理论模型在特定条件下完全等价于两个已被广泛承认的理论模型。目前讨论该模型及应用的三篇主要论文的SCI引用次数达137篇次。

  

学术服务及所获荣誉

中国物理学会半导体物理专业委员会委员；

中国物理学会光物理专业委员会委员；

美国光学学会（OSA）终身资深会员及光探测技术组学术执委；

Journal of Materials Science & Technology杂志国际顾问委员会委员；

NPG Scientific Reports 编委会委员；

国家杰出青年基金海外与港澳学者合作基金（杰青B）获得者；

二十余种国际著名学术刊物审稿人。