摘要: 二氧化硅(SiO
2)平面光波导器件在光通信和光传感的应用日益广泛,制备SiO
2膜材料是平面光波导及其集成器件制作的基础。等离子增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)和火焰水解沉积(Flame Hydrolysis Deposition, FHD)工艺是制备SiO
2厚膜的典型方法, 本文分析总结了制备工艺参数对膜层性能的影响,说明PECVD + FHD混合工艺是SiO
2型PLC器件最具竞争性的制作方法。