MP  >> Vol. 8 No. 6 (November 2018)

电化学刻蚀多孔GaN材料的研究
Study on Electrochemical Etching of Porous GaN Materials

张桐鹤,李 林,苑汇帛,张 晶,马晓辉,刘国军:长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林 长春;
曾丽娜,李再金,曲 轶:海南师范大学,物理与电子工程学院,海南 海口

版权 © 2017 张桐鹤, 李 林, 苑汇帛, 张 晶, 马晓辉, 刘国军, 曾丽娜, 李再金, 曲 轶。本期刊文章已获得知识共享署名国际组织(Creative Commons Attribution International License)的认证许可。您可以复制、发行、展览、表演、放映、广播或通过信息网络传播本作品;您必须按照作者或者许可人指定的方式对作品进行署名。

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张桐鹤, 李林, 苑汇帛, 曾丽娜, 张晶, 李再金, 曲轶, 马晓辉, 刘国军. 电化学刻蚀多孔GaN材料的研究[J]. 现代物理, 2018, 8(6): 290-296. https://doi.org/10.12677/MP.2018.86033