结电容对不同光敏元尺寸InGaAs探测器I-V特性测试的影响
Impact of Junction Capacitance on Measurement of I-V Characteristic of InGaAs Detectors with Different Photosensitive Element Sizes
贺香荣,李 淘,徐勤飞,杨 波：中国科学院上海技术物理研究所，传感技术国家重点实验室，上海；中国科学院上海技术物理研究所，红外成像材料与器件重点实验室，上海
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