HJCET  >> Vol. 9 No. 3 (May 2019)

化学工程与技术
Hans Journal of Chemical Engineering and Technology
Vol.9 No.3(2019), Paper ID 30242, 7 pages
DOI:10.12677/HJCET.2019.93030

InGaZnO靶材和薄膜的研究进展
Research Progress of InGaZnO Target and Thin Film

陆映东,黄誓成,梁盈祥:广西晶联光电材料有限责任公司,广西 柳州;
莫曼,方志杰:广西科技大学理学院,广西 柳州

版权 © 2017 陆映东, 黄誓成, 梁盈祥, 莫曼, 方志杰。本期刊文章已获得知识共享署名国际组织(Creative Commons Attribution International License)的认证许可。您可以复制、发行、展览、表演、放映、广播或通过信息网络传播本作品;您必须按照作者或者许可人指定的方式对作品进行署名。

How to Cite this Article


陆映东, 黄誓成, 梁盈祥, 莫曼, 方志杰. InGaZnO靶材和薄膜的研究进展[J]. 化学工程与技术, 2019, 9(3): 203-209. https://doi.org/10.12677/HJCET.2019.93030