NAT  >> Vol. 10 No. 1 (February 2020)

纳米技术
Hans Journal of Nanotechnology
Vol.10 No.1(2020), Paper ID 34146, 6 pages
DOI:10.12677/NAT.2020.101001

一种限域生长有机半导体晶体的方法
A Method for Growing Organic Semiconductor Crystals in Limited Area

于亚民:北京邮电大学,理学院,北京;中国科学院化学研究所,有机固体研究室,北京分子科学国家实验室,北京;
张 茜:中国科学院化学研究所,有机固体研究室,北京分子科学国家实验室,北京

版权 © 2017 于亚民, 张 茜。本期刊文章已获得知识共享署名国际组织(Creative Commons Attribution International License)的认证许可。您可以复制、发行、展览、表演、放映、广播或通过信息网络传播本作品;您必须按照作者或者许可人指定的方式对作品进行署名。

How to Cite this Article


于亚民, 张茜. 一种限域生长有机半导体晶体的方法[J]. 纳米技术, 2020, 10(1): 1-6. https://doi.org/10.12677/NAT.2020.101001