MOS  >> Vol. 12 No. 2 (March 2023)

建模与仿真
Modeling and Simulation
Vol.12 No.2(2023), Paper ID 63342, 12 pages
DOI:10.12677/MOS.2023.122148

贮存剖面下考虑镀层厚度的电连接器接触性能退化模型研究
Study on Contact Degradation Model of Elec-trical Connectors Considering Plating Thickness under Storage Profile

陈哲文,谢诗伟,钟立强,郭鸿杰:浙江理工大学浙江省机电产品可靠性技术研究重点实验室,浙江 杭州;
颜佳辉:工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室,广东 广州

版权 © 2017 陈哲文, 谢诗伟, 钟立强, 郭鸿杰, 颜佳辉。本期刊文章已获得知识共享署名国际组织(Creative Commons Attribution International License)的认证许可。您可以复制、发行、展览、表演、放映、广播或通过信息网络传播本作品;您必须按照作者或者许可人指定的方式对作品进行署名。

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陈哲文, 谢诗伟, 钟立强, 郭鸿杰, 颜佳辉. 贮存剖面下考虑镀层厚度的电连接器接触性能退化模型研究[J]. 建模与仿真, 2023, 12(2): 1593-1604. https://doi.org/10.12677/MOS.2023.122148