2~5 μm中红外波段GaSb半导体材料研究进展
Research Progress of 2 - 5 μm Mid-Infrared GaSb Semiconductor Materials
余 沛,房 丹,唐吉龙,方 铉,王登魁,王新伟,王晓华,魏志鹏：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，吉林 长春
版权 © 2017 余 沛, 房 丹, 唐吉龙, 方 铉, 王登魁, 王新伟, 王晓华, 魏志鹏。本期刊文章已获得知识共享署名国际组织(Creative Commons Attribution International License)的认证许可。您可以复制、发行、展览、表演、放映、广播或通过信息网络传播本作品；您必须按照作者或者许可人指定的方式对作品进行署名。