基本情况
贺朝会，男，博士，西安交通大学教授，博士生导师。作为共同主席主办第四届电子元器件辐射效应国际会议（ICREED-2021），曾担任国际核工程大会（ICONE）分会主席或副主席；国家自然科学基金委重大项目、重点项目、面上项目、青年项目评审专家；上海市、重庆市、江苏省科技奖评审专家；国家工程技术研究中心和陕西省工程技术研究中心评审专家；国家人才计划、教育部“长江学者”评审专家；教育部高校职称评审专家。目前为IEEE Transactions on Nuclear Science、IEEE Electron Device Letters、Journal of Nuclear Materials、Radiation Effects and Defects in Solids、Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry、Nuclear Science and Techniques、Journal of Electronic Materials、Microelectronics Reliability、Progress in Nuclear Energy、SCIENCE CHINA、Chinese Physics、Chinese Science Bulletin、物理学报、原子能科学技术、核技术、半导体学报、质谱学报、空间科学学报、宇航学报、中国国防科技大学学报、北京航空航天大学学报、信息与电子工程等学术期刊的审稿人。荣获《中国科学：技术科学》2013年度“优秀审稿人”称号（2014年7月颁发）。先后主持国家自然科学基金重点项目/面上项目、国防预研及JKW基础加强项目子课题、863项目等三十多项。获部级科技进步一等奖1项：单粒子效应测量系统的建立及应用（排名第1）；部级科技进步三等奖2项：功率MOS器件单粒子烧毁、栅穿效应的理论模拟方法与实验研究(排名第5)；几种典型半导体器件的中子和γ辐照效应机理和规律研究（排名第3）；陕西高等学校科学技术研究优秀成果二等奖：系统级封装（SiP）瞬时剂量率效应研究（排名第1）。
研究领域
半导体材料、电子器件、集成电路和系统的辐照效应；抗辐射机器人；核电池；辐射测量与防护等。
教育经历
1999年6月毕业于西安交通大学，获电子科学与技术学科博士学位
1995年6月毕业于西北核技术研究所，获核电子学与探测技术专业硕士学位
1992年8月至1993年7月在北京大学技术物理系学习硕士研究生基础理论课
1989年7月毕业于北京大学技术物理系核物理专业，获理学学士学位
工作经历
2021年被聘为中国航天科技集团有限公司抗辐射集成电路技术实验室学术委员会委员
2020年入选国防科技工业抗辐照应用技术创新中心理事
2019年被聘为Editorial Board Member of the International Journal of Advanced Nuclear Reactor Design and Technology (JANDT)
2017年被聘为中国仿真学会集成微系统建模与仿真专业委员会委员
2014年被聘为中国核学会核测试与分析分会常务理事、中国核学会核化学与放射化学分会环境放射化学专业委员会委员；入选中国电子学会高级会员，核电子学与核探测技术分会第八届理事
2013年当选中国核学会辐射物理分会理事，享受陕西省“三秦人才津贴”
2010.10-2011.10美国University of Wisconsin-Madison访问学者 2012年入选陕西省核与辐射安全专家库
2009年入选《原子能科学技术》编委；中国宇航学会会员
2006年当选陕西省核学会理事；西安交通大学博士生导师
2005年入选“中国科技论文在线”知名学者；被兰州大学聘为兼职教授
2004年被西安交通大学聘为教授；入选教育部“新世纪优秀人才支持计划”
1989年至2004年在西北核技术研究所工作，从事放射性核素测量与分析、半导体器件辐射效应理论与实验研究
专著出版
1. 《纳米级系统芯片单粒子效应研究》，北京：科学出版社，2021.5，ISBN 978-7-03-067328-2
2. 《多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用》，北京：科学出版社，2023.9，ISBN 978-7-03-076467-2
论文发表
1. 彭治钢, 白豪杰, 刘方, 李洋, 何欢, 李培, 贺朝会, 李永宏. 质子累积辐照效应对CMOS图像传感器饱和输出的影响. 物理学报, 2025, 74(2): 024203. doi: 10.7498/aps.74.20241352
2. 贺朝会, 陈伟, 韩建伟, 等. 新型微系统的辐射效应与抗辐射加固技术. 中国科学: 物理学 力学 天文学, 2024, 54: 232001，https://doi.org/10.1360/SSPMA-2023-0216
3. Yang Li , Yaxin Guo, Junlin Li, Chaohui He, Zhigang Peng, Jiaxin Liu, Ruibin Li, Hongchao Zhao, Wei Chen , Yonghong Li, Pei Li , and Cen Xiong, Transient Dose Rate Effect Between System-in-Package and Printed Circuit Boards: A Comparative Experimental Study, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 70(8): 2106 -2200, AUGUST 2023
4. Li Ning, Li Yang, Guo Yaxin, He Chaohui，Simulation analysis of electromagnetic pulse susceptibility and hardening design for system-in-package SZ0501, Microelectronics Reliability 141 (2023) 114892
5. Guo Yaxin, Li Yang, Li Junlin, He Chaohui, et al., Experimental Study of Transient Dose Rate Effects of Two Level-Shifting Transceivers and Simulations on Their ESD Circuits, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE,69 (5): 1157-1166, MAY 2022, DOI: 10.1109/TNS.2022.3140555, WOS:000797421800026
6. Li Yang, Li Junlin, Guo Yaxin, et al., Experimental Study of Transient Dose Rate Effect on System-in-Package SZ0501, IEEE Transactions on Nuclear Science, 69(8): 1840-1849, 2022，DOI:10.1109/TNS.2022.3189957
7. Yonghong Li, Weitao Yang, Maocheng Wang, …, Chaohui He, et al., Vulnerability evaluation on 16 nm FinFET Ultrascale+ MPSoC using fault injection and proton irradiation, Microelectronics Reliability 133:114534, June 2022, DOI:10.1016/j.microrel.2022.114534
8. Pei Li, Chaohui He, Hongxia Guo, et al., Synergistic Effects of Ionizing Dose and Displacement Damage on SiGe Heterojunction Bipolar Transistors, IEEE Transactions on Nuclear Science 69(5):1051-1056, May 2022, DOI:10.1109/TNS.2022.3155639
9. Jianan Wei, Yang Li, …, Chaohui He, et al., Angular dependence of proton-induced single event transient in silicon-germanium heterojunction bipolar transistors, Chinese Physics B 31(8), March 2022, DOI:10.1088/1674-1056/ac5d32
10. Pei Li, Hua Dong, …, Chaohui He, et al.,Tolerance of Perovskite Solar Cells under Proton and Electron Irradiation, Materials 15(4):1393, February 2022, DOI:10.3390/ma15041393
11. Shang Tian, Chaohui He, Huan He, et al., Insight of displacement cascade evolution in gallium arsenide through molecular dynamics simulations, Computational Materials Science 202:111016, February 2022, DOI:10.1016/j.commatsci.2021.111016
12. Guo Yaxin, Yang Li, Junlin Li, Chaohui He et al., Experimental Study of Transient Dose Rate Effects of Two Level-Shifting Transceivers and Simulations on Their ESD Circuits, IEEE Transactions on Nuclear Science PP(99):1-1, January 2022, DOI:10.1109/TNS.2022.3140555
13. Wenlong Liao, Chaohui He, Huan He, et al., Electron–phonon coupling factor and electron heat capacity of 6H-SiC, Molecular Simulation 48(8):1-8, December 2021, DOI:10.1080/08927022.2021.2015067
14. Weitao Yang, Yonghong Li, Chaohui He, et al., Fault injection and failure analysis on Xilinx 16 nm FinFET Ultrascale+ MPSoC, Nuclear Engineering and Technology 54(6), December 2021, DOI:10.1016/j.net.2021.12.022
15. Weitao Yang, Xue-Cheng Du, Yonghong Li, Chaohui He, et al., Single-event-effect propagation investigation on nanoscale system on chip by applying heavy-ion microbeam and event tree analysis, Nuclear Science and Techniques 32(10), October 2021, DOI:10.1007/s41365-021-00943-6
16. Rui Gu, Lei Wang, …, Chaohui He, et al.,Engineering and Microscopic Mechanism of Quantum Emitters Induced by Heavy Ions in hBN, ACS Photonics 8(10), September 2021, DOI:10.1021/acsphotonics.1c00364
17. Huan He, Wenlong Liao, …, Chaohui He, Stability and interaction of cation Frenkel pair in wurtzite semiconductor materials, Computational Materials Science 196:110554, August 2021, DOI:10.1016/j.commatsci.2021.110554
18. Yang Li, Yaxin Guo, Chaohui He et al., Simulation studies on the transient dose rate effect of analog delay locked loops, Microelectronics Reliability 121(6):114149, June 2021, DOI:10.1016/j.microrel.2021.114149
19. Ruibin Li, Junlin Li, Chenghui Wang, Chaohui He, et al., Transient radiation effects in several types of LDO, 4th International Conference on Radiation Effects of Electronic Devices (ICREED), May 2021, DOI:10.1109/ICREED52909.2021.9588675
20. Jianan Wei, Chaohui He, et al., Impact of Ge Profile on TID Susceptibility of SiGe HBTs, 4th International Conference on Radiation Effects of Electronic Devices (ICREED), May 2021, DOI:10.1109/ICREED52909.2021.9588725
21. Yang Li, Jianan Wei, Chaohui He, et al., Multiple transient photocurrents coupled simulation based on AD8561 MACRO-SPICE Model, 4th International Conference on Radiation Effects of Electronic Devices (ICREED), May 2021, DOI:10.1109/ICREED52909.2021.9588740
22. Weitao Yang, Boyang Du, Chaohui He, et al., Reliability Assessment on 16nm Ultrascale+ MPSoC Using Fault Injection and Fault Tree Analysis, Microelectronics Reliability 120:114122, April 2021, DOI:10.1016/j.microrel.2021.114122
23. Wenlong Liao, Huan He, …, Chaohui He, Effects of electronic energy deposition on pre-existing defects in 6H-SiC, Nuclear Engineering and Technology 53(1-4), January 2021, DOI:10.1016/j.net.2021.01.017