重掺硅单晶中氧含量的测试
The Determination of Oxygen in High Doping Silicon Crystal
摘要:
测定重掺硅单晶中的氧主要采用惰性气体熔融–红外光谱法，然而如何保证测试结果的准确性却是一个问题。本文讨论了惰性气体熔融–红外光谱法中拉制标准曲线的方法和建立测试的分析方法，通过该方法，可以获得重掺硅中准确的氧含量数据。
Abstract:
The oxygen in high doping silicon crystal is mainly determined by inert gas fusion-infrared ab-sorption method, but it is a problem that how get a result accurately. We discuss how to make standard curve and how to get test process to determine oxygen in high doping silicon crystal.
参考文献
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[1]
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胡波. 单晶硅中氧和碳的分布及控制方法[D]: [硕士学位论文]. 湘潭: 湖南科技大学, 2009.
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[2]
|
冯冰. 红外吸收法测定硅中氧含量[J]. 半导体光电,1980(4): 48-50.
|
|
[3]
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查良镇, 邹庆生. 复杂多层结构的二次离子质谱定量深度分析[J]. 清华大学学报(自然科学版), 1997, 37(4): 14-18.
|
|
[4]
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杨倩倩, 郭飞飞. 惰性气体熔融–红外光谱法测定硅中的氧[J]. 化学分析计量, 2013, 22(5): 97-99.
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