随机掺杂对超深亚微米SOI MOSFETs阈值电压影响研究Study on the Influence of Random Doping on the Threshold Voltage of Ultra Deep Submicron SOI MOSFETs
苏亚丽, 杨江江 下载量: 919 浏览量: 1,862 科研立项经费支持
应用物理 Vol.8 No.11, November 21 2018, PDF, HTML, XML DOI:10.12677/APP.2018.811060 被引量