MS  >> Vol. 8 No. 2 (February 2018)

材料科学
Material Sciences
Vol.8 No.2(2018), Paper ID 23879, 0 pages
DOI:10.12677/MS.2018.82011

GaAs薄膜发光改性研究进展
Research Progress of Improvement of Emission Properties in GaAs Film

肖 卫,贾慧民,唐吉龙,房 丹,方 铉,王新伟,王登魁,魏志鹏,王晓华:长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林 长春

版权 © 2017 肖 卫, 贾慧民, 唐吉龙, 房 丹, 方 铉, 王新伟, 王登魁, 魏志鹏, 王晓华。本期刊文章已获得知识共享署名国际组织(Creative Commons Attribution International License)的认证许可。您可以复制、发行、展览、表演、放映、广播或通过信息网络传播本作品;您必须按照作者或者许可人指定的方式对作品进行署名。

How to Cite this Article


肖卫, 贾慧民, 唐吉龙, 房丹, 方铉, 王新伟, 王登魁, 魏志鹏, 王晓华. GaAs薄膜发光改性研究进展[J]. 材料科学, 2018, 8(2): 89-97. https://doi.org/10.12677/MS.2018.82011