MP  >> Vol. 11 No. 4 (July 2021)

GaAs基1.55微米自组织InAs量子点材料生长研究进展
Research Progress on the Growth of 1.55 μm Self-Assembled InAs Quantum Dots Based on GaAs

曾丽娜,杨云帆,李林,刘兆悦,李再金,赵志斌,陈浩,乔忠良,曲轶,刘国军:海南师范大学物理与电子工程学院,海南省激光技术与光电功能材料重点实验室,海南 海口;
秦振:吉林大学教育技术中心,吉林 长春

版权 © 2017 曾丽娜, 杨云帆, 李林, 刘兆悦, 李再金, 赵志斌, 陈浩, 乔忠良, 曲轶, 刘国军, 秦振。本期刊文章已获得知识共享署名国际组织(Creative Commons Attribution International License)的认证许可。您可以复制、发行、展览、表演、放映、广播或通过信息网络传播本作品;您必须按照作者或者许可人指定的方式对作品进行署名。

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曾丽娜, 杨云帆, 秦振, 李林, 刘兆悦, 李再金, 赵志斌, 陈浩, 乔忠良, 曲轶, 刘国军. GaAs基1.55微米自组织InAs量子点材料生长研究进展[J]. 现代物理, 2021, 11(4): 88-97. https://doi.org/10.12677/MP.2021.114012