霍尔电流传感器制备工艺综述
A Review of the Preparation Process of Hall Current Sensors
摘要: 霍尔电流传感器作为非接触式电流测量的核心器件，其性能高度依赖于材料生长与微纳加工工艺。本文系统综述了分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、化学气相沉积(CVD)、聚焦离子束(FIB)及聚焦电子束诱导沉积(FEBID)四种关键制备工艺的技术原理、发展历程与应用效果。通过对比分析各工艺的优劣势，提出未来研究方向应聚焦于工艺集成化、成本控制及新型材料体系的开发，以满足工业界对高精度、高可靠性传感器的需求。
Abstract: As a core device for non-contact current measurement, the performance of Hall current sensors is highly dependent on material growth and micro-nano fabrication processes. This paper systematically reviews the technical principles, development history, and application outcomes of four key fabrication processes: Molecular Beam Epitaxy (MBE), Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), Chemical Vapor Deposition (CVD), Focused Ion Beam (FIB), and Focused Electron Beam Induced Deposition (FEBID). Through a comparative analysis of the advantages and disadvantages of each process, future research directions are proposed to focus on process integration, cost control, and the development of novel material systems to meet the industrial demand for high-precision and high-reliability sensors.
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