1. 引言
染料敏化太阳电池由于低成本、易组装等优点而受到广泛关注 [1] [2] [3] [4] [5] 。一维纳米阵列膜的高度有序性可促进光生电荷沿轴向快速传输,有效降低电荷的复合效率,广泛应用于染料敏化太阳电池的光阳极研究领域。作为光电性能优异的n-型半导体TiO2一维纳米阵列获得了很多研究者的关注 [6] [7] [8] 。对TiO2进行表面处理可以有效提高电池的光电性能,研究发现,对TiO2纳米颗粒或纳米纤维进行酸处理可以提高DSSCs的光电参数 [9] [10] [11] 。Hee-Gon Bang等研究表明,TiO2纳米颗粒制备的DSSCs的光电转换效率、短路电流(Jsc)和单色光转化效率(IPCE)随着乙酸浓度的增加而增加 [10] 。Lixin Song等用盐酸处理TiO2纳米颗粒/纳米纤维双层膜,其DSSCs的光伏参数都是随着盐酸浓度的增加先增加,达到最大值后下降,最大单色光转化效率(IPCE)和最大光电转换效率(η)分别比基于未处理TiO2膜的DSSCs提高了14%和6.3% [11] 。
本文以钛酸四丁酯为钛先驱体通过水热法制备TiO2纳米棒阵列,采用水热法对TiO2纳米棒阵列进行酸处理,以期改善电池的光电性能。对上述材料进行性能表征,并组装成电池,进行电化学性能测试,研究酸处理对TiO2纳米棒阵列制备的DSSCs的光电性能的影响。
2. 实验方法
2.1. TiO2纳米阵列的制备
2.1.1. TiO2纳米棒阵列的制备
取30 mL HCl、30 mL蒸馏水、1 mL钛酸四丁酯混合,经磁力搅拌至透明溶液。将洁净的FTO导电玻璃相对反应釜内衬底75˚角斜靠放置,沿反应釜内壁缓缓加入搅拌好的透明液体,经150℃水热反应21 h,冷却至室温后取出FTO导电玻璃。将所得薄膜用蒸馏水清洗干净,得到TiO2纳米棒阵列。
2.1.2. TiO2纳米棒阵列的盐酸处理
将生长TiO2纳米棒阵列的FTO表面朝上平放在内衬底部,倒入配置的0.5 M的盐酸溶液,经120℃水热反应12 h,冷却至室温后取出FTO导电玻璃。将所得薄膜用蒸馏水清洗干净,得到盐酸处理的TiO2纳米棒阵列。
2.1.3. TiO2纳米棒阵列的硝酸处理
将生长TiO2纳米棒阵列的FTO表面朝上平放在内衬底部,倒入配置的0.5 M的硝酸溶液,同样上述实验方法处理得到硝酸处理的TiO2纳米棒阵列。
2.2. 电池的组装
将生长好TiO2纳米棒阵列的FTO基片放入马弗炉中于450℃烧结30 min,然后在N-719染料中60℃浸泡24 h制成光阳极。以Pt电极为对电极,并用石蜡封装,组装成太阳能电池。电解液为含0.5 M LiI、
0.05 M
I2和
0.5 M
TBP (4-叔丁基吡啶)的乙腈溶液。电池的有效测试面积为0.5 * 0.5 cm2。
2.3. 测试与表征
采用场发射扫描电镜(FESEM, Zeiss, Supra55)对TiO2纳米棒阵列的形貌分析。
电池的光电性能参数通过Zahner CIMPS-2电化学工作站测量,采用氙灯光源(Trusttech CHF -XM-500W, GlobalAM 1.5, 100 mW/cm2)模拟太阳光照射。电化学交流阻抗谱测试使用Zahner CIMPS-2电化学工作站,频率范围为100 kHz~0.1 Hz,振幅为10 mV。强度调制光电流谱(IMPS)和强度调制光电压谱(IMVS)测试采用Zahner CIMPS-2,光源由PP210驱动的波长为470 nm的发光二极管提供,正弦扰动光强为直流光强的10%,测试频率范围为1000~0.01 Hz。
3. 结果与分析
图1给出了TiO2纳米棒阵列不同处理的SEM截面图。图1(a)、图1(b)为未处理TiO2纳米棒的SEM图,从图中可以看出TiO2纳米棒在FTO基体上垂直生长,阵列致密,棒径均匀,棒长为3~4 μm,侧面平直光滑,底部较宽,顶部较细窄,在阵列中有生长不是很完全的短的纳米棒横穿在其中。图1(c)、图1(d)是TiO2纳米棒经过盐酸处理后的SEM图。从图中可以看出,经过盐酸处理后,TiO2纳米棒依然以较完整的阵列形式紧密排列,棒径和棒长保持不变。图1(e)、图1(f)为TiO2纳米棒经过硝酸处理后的SEM图。从图中可以看出,经过硝酸处理后,TiO2纳米棒阵列形貌同样变化不大。
图2展示了未处理TiO2和盐酸处理、硝酸处理的TiO2纳米棒阵列光阳极制备出的电池的J-V曲线,其性能参数列于表1。从图2和表1都可看出,与未处理TiO2纳米棒阵列样品的光电性能参数相比,酸处理提高了样品的短路电路(Jsc)、开路电压(Voc)和光电转换效率(η)。经过两种酸处理的TiO2纳米棒阵列显示出更好的光电性能。酸处理有助于TiO2纳米棒阵列吸附更多的染料分子,以提高光捕获能力,从而提高光电性能,因而其性能比未处理TiO2纳米棒阵列具有更好的光电转换效率。在相同浓度的酸处理下,盐酸处理的TiO2光阳极表现出更好的光电性能。这可能是因为盐酸是一种强的非氧化性酸,可以在TiO2纳米棒上形成合适的活性点,而TiO2纳米棒阵列的表面结构没有被破坏,并且没有新的杂质进入到TiO2纳米棒阵列中。硝酸是一种强氧化酸,可以破坏TiO2膜的表面结构,因此硝酸处理对提高TiO2纳米棒阵列吸附染料分子的影响较小 [12] 。

Figure 2. J-V curves of the DSSCs assembled by untreated, HCl and HNO3 treated TiO2 photoanodes
图2. 未处理TiO2和盐酸处理、硝酸处理的TiO2纳米棒阵列DSSCs的J-V曲线

Table 1. Detailed photovoltaic parameters of DSSCs assembled by untreated, HCl and HNO3 treated TiO2 photoanodes
表1. 未处理TiO2和盐酸处理、硝酸处理的TiO2纳米棒阵列DSSCs的光电性能参数
图3显示了由不同TiO2纳米棒阵列制成的DSSCs的电化学阻抗谱(EIS)。通常,DSSCs的典型EIS光谱包含三个半圆,分别为高频区
界面电荷传输电阻(Rpt)和中频区TiO2/染料/电解质界面电荷转移电阻(Rct),以及低频区电解质中
氧化还原对的扩散电阻(Rdt) [13] [14] 。如图3所示,所有DSSCs的电化学阻抗谱仅为半圆,指派为TiO2/染料/电解质界面的Rct,与Rpt和Rdt相对应的另外两个半圆很可能被与Rct相对应的大半圆遮蔽。图3中插图为等效电路图,由恒相位角元件(CPE)和电阻(Rs)组成,采用该电路图对相应的阻抗图谱进行拟合。拟合结果显示,未处理TiO2纳米棒阵列的DSSCs的Rct值最大,盐酸处理的TiO2纳米棒阵列的DSSCs比硝酸处理的小。从结果可以看出,酸处理可以降低电子在传输过程中的复合概率,低电荷传输电阻意味着DSSCs的高反应活性,这与相应DSSCs的光电性能结果是一致的。

Figure 3. Nyquist plots of the DSSCs made of untreated, HCl and HNO3 treated TiO2 nanorod arrays and the equivalent circuit for the impedancespectrum. Rs: serial resistance; Rct: charge-transfer resistance of photoanode; CPE: a constantphase element.
图3. 未处理TiO2和盐酸处理、硝酸处理的的TiO2纳米棒阵列DSSCs的交流阻抗谱(EIS),图中插入的是阻抗图谱的等效电路图,Rs:电阻;Rct:TiO2/染料/电解质界面的电荷转移阻抗;CPE:恒相位角元件
图4为测得的未处理的TiO2和盐酸处理、硝酸处理的的TiO2纳米棒阵列制备的染料敏化电池的IMPS响应和IMVS响应图。作为反应动力学的重要参数,电子在膜内的传输时间(τd)和电子寿命(τn)可以分别从IMPS和IMVS图上计算得到,详细参数见表2。从表2中可以看出,酸处理的TiO2纳米棒阵列的DSSCs的电子传输时间(τd)均比未处理的短,这表明酸处理可以改善电子传输。酸处理的TiO2纳米棒阵列的DSSCs的τn/τd的值都高于未处理的,表明酸处理的TiO2纳米棒阵列的DSSCs具有更高的电子收集效率。

Figure 4. Short-circuit IMPS response (a) and IMVS response (b) of DSSCs with untreated, HCl and HNO3 treated TiO2 nanorode arrays.
图4. 未处理TiO2和盐酸处理、硝酸处理的TiO2纳米棒阵列制备的DSSCs的短路IMPS响应(a)和IMVS响应(b)

Table 2. Detailed IMPS/IMVS parameters for DSSCs made of untreated, HCl and HNO3 treated TiO2
表2. 未处理TiO2和盐酸处理、硝酸处理的的TiO2纳米棒阵列DSSCs的IMPS/IMVS性能参数
4. 结论
本论文研究了盐酸和硝酸处理对TiO2纳米棒阵列制备的DSSCs的光电性能的影响,研究发现,酸处理均能提高TiO2纳米棒阵列的光电参数,在相同的条件下,用盐酸处理TiO2纳米棒阵列的DSSCs的光电性能优于用硝酸处理,这表明盐酸处理更有利于提高DSSCs对染料分子的吸附,从而提高了电池的光电性能。EIS、IMPS和IMVS测试显示,经过酸处理的TiO2纳米棒阵列的DSSCs的电子传输动力学性能也优于未处理的,因而其光电性能优良。