1. 引言
能源储存技术的发展已经成为可持续发展的关键领域之一。超级电容器,因其高功率密度、快速充放电、长寿命等优异性能,已成为备受关注的能量储存设备之一 [1] [2] [3] 。传统的电极材料存在能量密度低和容量损失快等缺点,因此需要开发新型电极材料来满足不断增长的能量需求。过渡金属碳化物和氮化物(MXenes)是一种新型的二维材料。MXenes具有类金属导电性、高化学稳定性和强亲水性等特征,因此在电催化剂、光学传感器、生物医学、电磁和储能等领域得到广泛应用 [4] [5] [6] 。MXenes材料作为超级电容器电极,在0.2 A∙g−1电流密度下表现出242.5 F∙g−1的高比电容,在1 A∙g−1电流密度下循环10,000次后容量保持在90%以上 [7] 。然而,MXenes纳米片的自堆叠和聚集特征限制了其性能的发挥。因此,在MXenes纳米片中引入零维纳米颗粒、一维纳米管/纳米线、二维纳米片等已被证实能够避免它们的再次堆积,从而大大提高超级电容器的性能 [8] [9] 。Liu等人 [10] 通过协同组装和冷冻干燥工艺制备了具有典型“层支柱”的三维Ti3C2Tx/CNF复合气凝胶,在0.5 A∙g−1的电流密度下具有268 F∙g−1的比电容,在1 A∙g−1的电流密度下循环充放电8000次后容量保持率为82.4%。Zheng等人 [11] 构建的NiCo2-LDHs@MXene/rGO气凝胶,在1 A∙g−1时提供了332.2 mAh∙g−1的比电容,在此电流密度下经过5000次循环充放电后容量保持率为87.5%。以上报道均表明,引入“间隔器”可以有效防止MXenes自堆叠,从而提升材料的电化学性能。
基于此,本文在Ti2CTx纳米片表面原位自组装导电性金属有机骨架化合物(c-MOFs)制备Ti2CTx/c-MOF复合材料。通过调节Ti2CTx分散液的浓度,来控制Ti2CTx基底的量,从而控制c-MOF阵列在Ti2CTx表面上的生长高度。c-MOF阵列不仅能够提供丰富的微孔结构,还起到了“间隔器”的作用,有效防止Ti2CTx纳米片的自堆叠。通过质量比例的调控研究Ti2CTx含量变化对Ti2CTx/c-MOF复合材料的微观结构、表面化学特性等的影响,以及微观结构对其作为超级电容器电极材料的电化学性能的影响。
2. 实验部分
2.1. 试剂与仪器
本文所用的试剂包括碳化铝钛、氟化锂、盐酸、2,3,6,7,10,11-六氨基三苯六盐酸盐、氯化镍、氨水、无水乙醇、乙炔黑、N-甲基吡咯烷酮、聚偏氟乙烯、硫酸钠均为分析纯。
本文所使用仪器包括Bruker公司D/max-2500 X射线粉末衍射仪、日本JEOL公司JEM-F200透射电子显微镜、德国ZEISS公司GeminiSEM 300扫描电子显微镜、日本Horiba公司LabRAM HR Evolution拉曼光谱、美国Quantachrome公司Autosorb IQ MP全自动比表面及孔隙度分析仪、以及上海辰华仪器有限公司CHI660E电化学工作站。
2.2. 材料的制备
(1) Ti2CTx的制备
Ti2CTx的制备主要是基于之前的报道 [12] 。由于HF具有剧毒性,因此在本实验中选择HCl-LiF作为混合刻蚀剂。将2.0 g∙LiF加入到盛有20 mL 9 mol∙L−1 HCl的聚四氟乙烯烧杯中,搅拌30 min,以制备刻蚀液。随后缓慢向刻蚀液中加入2 g Ti2AlC粉末,将反应溶液加热到40℃,持续搅拌72 h。反应结束后,用去离子水多次洗涤、离心直到上清液的pH值达到6以上,收集沉淀干燥,即得到多层Ti2CTx粉末。
(2) c-MOF-Ni3(HITP)2的合成
称取40 mg有机配体2,3,6,7,10,11-六氨基三苯六盐酸盐(HATP∙6HCl),加入20 mL去离子水进行超声分散使其完全溶解。随后将其转移至100 mL圆底烧瓶中,并置于恒温油浴锅中。称取26.4 mg NiCl2∙6H2O,加入20 mL去离子水搅拌溶解,再加入1.2 mL的氨水。将此盐溶液转移至恒压分液漏斗中,以约1滴/2 s的速度逐滴加入到配体溶液中,在65℃下,搅拌反应1.7 h。反应结束后,抽滤、用去离子水洗3次、无水乙醇洗1次,最后,在80℃下干燥12 h,即可制备出Ni3(HITP)2材料。
(3) Ti2CTx/c-MOF复合材料的合成
分别称取2、5、10、20 mg的Ti2CTx加入到20 mL去离子中进行超声分散,得到浓度分别为0.1、0.25、0.5、1.0 mg∙mL−1的分散液。用Ti2CTx分散液代替去离子水重复Ni3(HITP)2的合成过程,即可得到Ti2CTx/c-MOF复合材料。所得材料依次命名为:0.1-Ti2CTx/c-MOF、0.25-Ti2CTx/c-MOF、0.5-Ti2CTx/c-MOF和1.0-Ti2CTx/c-MOF。
电极的制备:选用泡沫镍作为集流体,将活性材料与导电剂碳黑进行混合研磨,加入粘结剂聚偏氟乙烯(PVDF)和溶剂N-甲基吡咯烷酮(NMP),搅拌成均匀的浆料。其中,活性材料、导电剂和粘结剂的质量比例为8:1:1。将制备好的浆料涂抹于泡沫镍上,涂抹面积为1 cm2,在80℃下干燥12 h,并在10 MP的压力下将其压制成电极。
3. 实验结果与讨论
3.1. 材料表征与分析
图1展示了Ti2CTx、c-MOF、及不同Ti2CTx含量的Ti2CTx/c-MOF复合材料的SEM图。如图1(a)所示,Al层被刻蚀后,Ti2CTx呈现明显的层状结构,这种结构为Ni3(HITP)2的原位合成提供了生长空间。图1(b)和图1(c)是反应1.7 h制备的Ni3(HITP)2材料的SEM图。由图可知,Ni3(HITP)2呈棒状聚集体形态,这些棒状结构宽10~20 nm,长约100 nm。图1(d)~(o)展示了不同Ti2CTx含量的Ti2CTx/c-MOF复合材料的SEM图,其中0.25-Ti2CTx/c-MOF的SEM图中可以清楚地观察到均匀生长在Ti2CTx片层表面的Ni3(HITP)2阵列,这种结构既能增加比表面积提供丰富的活性位点,又能形成均匀的三维通道以增强离子可及性,并且还能形成保护层减缓Ti2CTx纳米片的氧化速度。随着Ti2CTx含量增加,c-MOF的生长长度变短,甚至可以观察到部分裸露的Ti2CTx纳米片。这进一步阐明了Ni3(HITP)2在Ti2CTx表面的生长过程。首先,配体HATP·6HCl通过静电作用吸附到Ti2CTx纳米片表面,随后在滴加盐溶液的过程中完成自下而上的自组装。

Figure 1. The SEM images of (a) MXene, (b)~(c) c-MOF, (d)~(f) 0.1-Ti2CTx/Ni-MOF, (g)~(i) 0.25-Ti2CTx/c-MOF, (j)~(l) 0.5-Ti2CTx/c-MOF, (m)~(o) 1.0-Ti2CTx/c-MOF
图1. (a) MXene,(b)~(c) c-MOF,(d)~(f) 0.1-Ti2CTx/c-MOF,(g)~(i) 0.25-Ti2CTx/c-MOF,(j)~(l) 0.5-Ti2CTx/c-MOF,(m)~(o) 1.0-Ti2CTx/c-MOF的SEM图
我们通过HR-TEM进一步研究了c-MOF和2.5-Ti2CTx/c-MOF复合材料的形貌结构。如图2(a)所示,Ni3(HITP)2的形貌结构与SEM结果一致,为棒状堆积结构。图2(b)中,Ni3(HITP)2呈现出1.91 nm的清晰六方晶格,表明存在直径为1.91 nm的平行的一维孔隙,这与方形平面金属中心连接的六氨基三苯的周期性排列相吻合。从图2(c)中可以明确看到垂直向上堆积生长的层状二维Ni3(HITP)2结构。0.25-Ti2CTx/c-MOF复合材料的HR-TEM图像如图2(d)~(f)所示。在图2(d)中,可以观察到薄的Ti2CTx片层基底上生长的c-MOF(黑色斑点),高倍率下可以观测到大部分的Ti2CTx表面被c-MOF占据,只有极少部分裸露的表面,说明c-MOF阵列在Ti2CTx表面排布是比较均匀的。如图2(f)所示,0.25-Ti2CTx/c-MOF复合材料上生长的c-MOF也呈现约1.90 nm的晶格间距,对应Ni3(HITP)2的(100)晶面。图2(g)~(o) TEM元素映射显示了0.25-Ti2CTx/c-MOF复合材料中各元素的均匀分布。特征元素C、N、Cl和Ni均匀分布在Ti2CTx纳米片表面,而Al含量为0,说明经过刻蚀Al层已经被完全去除。选区电子衍射(SAED)的衍射环证实了复合材料的非晶性质(图2(p))。

Figure 2. (a)~(c) TEM images of c-MOF at different magnifications; (d)~(f) TEM images of Ti2CTx/c-MOF composites at different magnifications; (g)-(o) mapping element distribution of Ti2CTx/c-MOF composites; (p) SAED pattern of 2.5-Ti2CTx/c-MOF composites
图2. (a)~(c) 不同倍率下c-MOF的TEM图;(d)~(f) 不同倍率下0.25-Ti2CTx/c-MOF复合材料的TEM图;(g)-(o) 0.25-Ti2CTx/c-MOF复合材料的mapping元素分布图;(p) 0.25-Ti2CTx/c-MOF复合材料的SAED图样
c-MOF的XRD如图3(a)所示,在2θ = 4.7˚ (100)、9.5˚ (200)、12.6˚、16.5˚和27.3˚ (001)处均观测到明显的衍射峰,表明成功合成了Ni3(HITP)2晶体,且在ab平面内具有长程有序性 [13] 。由布拉格方程计算可得2θ = 4.7˚、9.5˚、12.6˚、16.5˚和27.3˚处的晶面间距分别为1.88 nm、0.93 nm、0.70 nm、0.54 nm和0.33 nm,与TEM测试结果一致。在2θ = 27.3˚处宽峰,对应于(001)晶面的衍射,表明沿c方向的长程有序性较差,这是共价键连接的层状材料的特征 [14] 。图3(b)展示了不同Ti2CTx含量的Ti2CTx/c-MOF复合材料的XRD图谱,复合材料的XRD谱图中既存在Ni3(HITP)2晶体在2θ = 4.7˚、9.5˚、12.6˚和16.5˚处的特征峰,也具有2θ = 36˚和42˚的TiC的峰,表明Ti2CTx成功地与Ni3(HITP)2复合。

Figure 3. XRD patterns of (a) c-MOF, (b) Ti2CTx and Ti2CTx/c-MOF composites
图3. c-MOF、Ti2CTx和Ti2CTx/c-MOF复合材料的XRD图
采用Raman光谱研究了Ti2CTx含量对Ti2CTx/c-MOF复合材料结构的影响。如图4所示,波数为1360 cm−1处的峰被称为D带,其峰强度代表材料晶体结构的缺陷或无序程度。而波数为1580 cm−1处的特征峰则是G带,由苯环中C = C骨架振动引起。通过计算D带与G带的峰强度比(ID/IG),可以准确比较材料的无序程度。其中,0.25-Ti2CTx/c-MOF复合材料的ID/IG值(1.63)与c-MOF (1.60)最接近,说明该复合材料中生长的c-MOF结构与纯c-MOF结构最接近。波数为150 cm−1的特征峰代表了Ti2CTx材料外层的Ti原子与末端官能团垂直于平面的振动,在Ti2CTx/c-MOF复合材料的相同波段也能找到与之对应的峰,表明材料的成功复合。

Figure 4. Raman spectra of c-MOF, Ti2CTx, and Ti2CTx/c-MOF composites
图4. c-MOF、Ti2CTx和Ti2CTx/Ni-MOF复合材料的拉曼光谱图
c-MOF、Ti2CTx和0.25-Ti2CTx/c-MOF复合材料在77 K条件下的N2吸/脱附等温线如图5(a)所示。从图中可以看出,无论是c-MOF还是0.25-Ti2CTx/c-MOF复合材料的吸/脱附曲线都符合IV型吸附曲线,在相对压力(p/p0)较高区域存在明显的滞后环。而且,滞后环闭合的位置大约位于p/p0 = 0.7处,这表明两种材料中均存在大量的介孔结构。根据BET分析,0.25-Ti2CTx/c-MOF复合材料的比表面积为514.9 m2∙g−1,远高于c-MOF (356.5 m2∙g−1)和Ti2CTx (4.5 m2∙g−1)的比表面积。根据图5(b)所示的孔径分布情况,推测复合材料比表面积的增长主要来自于生长在Ti2CTx表面的c-MOF阵列。这种阵列不仅保存了c-MOF自身的微孔结构,还提供了大量的外表面和孔隙结构。此外,c-MOF的存在防止了Ti2CTx纳米片在抽滤、干燥过程中的重堆叠。

Figure 5. (a) N2 adsorption/desorption isotherms and (b) pore size distribution of c-MOF, Ti2CTx, and 0.25-Ti2CTx/c-MOF composites
图5. c-MOF、Ti2CTx和0.25-Ti2CTx/c-MOF复合材料的(a)氮气吸/脱附等温线和(b)孔径分布
3.2. 电化学性能测试
超级电容器性能测试采用三电极体系,对。2 × 2 cm2的铂片作为对电极,Ag/AgCl (饱和KCl)电极作为参比电极,泡沫镍上负载活性物质作为工作电极,每个电极上活性物质负载量为8 mg∙cm−2,1 mol·L−1 Na2SO4溶液作为电解液,工作电压窗口为−0.2~0.4V。
图6(a)展示了在5 mV∙s−1的扫速下,c-MOF、Ti2CTx和Ti2CTx/c-MOF复合电极的CV曲线。从形状上看,几乎所有样品的CV曲线都接近矩形,说明电荷存储符合理想双电层行为。其中,0.25-Ti2CTx/c-MOF复合电极的CV曲线具有最大的积分面积,表明该材料具有最大的比电容。不同扫速下0.25-Ti2CTx/c-MOF复合电极的CV曲线图6(b)所示,在扫速较低时,CV曲线呈准矩形,说明电极具有良好的双电层电容性能和可逆性。随着扫描速度的逐渐增大,CV曲线逐渐偏离矩形,说明离子需要发生相对缓慢的嵌入/脱出过程才能有效地从0.25-Ti2CTx/c-MOF复合材料中存储和释放。
图6(c)所示为0.25 Ti2CTx/c-MOF复合电极在0.5~6 A∙g−1电流密度下的GCD曲线。充放电曲线在不同电流密度时基本上呈对称三角形,无明显充放电平台,说明该复合材料基本符合双电层电容的特点 [15] 。这一特点也可以从图6(d)中三种材料在0.5 A·g−1电流密度下的GCD曲线中得到证实。在−0.2~0.4 V的恒电流充放电过程中,0.25-Ti2CTx/c-MOF具有最长的充放电时间,显示出其优异的电荷储存能力。比电容随电流密度的变化曲线如图6(e)所示。在0.5 A∙g−1电流密度下,Ti2CTx仅有67.1 F∙g−1的质量比电容,表现出较差的电荷存储能力。这可能是由于Ti2CTx表面的氧化和片层之间的堆叠引起的。相比之下,c-MOF具有126.2 F∙g−1的质量比电容,说明二维c-MOF层层堆积形成的微孔通道为电荷存储提供了更多的活性位点。令人惊奇的是,0.25-Ti2CTx/c-MOF复合材料具有高达171 F∙g−1的质量比电容,大约为相同条件下Ti2CTx材料的2.5倍,c-MOF的1.3倍。这一结果表明0.25-Ti2CTx/c-MOF复合材料充分发挥了Ti2CTx和c-MOF之间的协同效应,c-MOF在Ti2CTx纳米片上原位自组装形成阵列结构,提供了大量离子可及比表面积,从而提升了材料的比电容。

Figure 6. The electrochemical properties of c-MOF, Ti2CTx, and Ti2CTx/c-MOF composites. (a) CV curves at a scan rate of 5 mV∙s−1; (b) CV curves of 2.5-Ti2CTx/c-MOFat different scan rates;(c) GCD curves of 2.5-Ti2CTx/c-MOF at different current densities; (d) GCD curves at a current density of 0.5 A∙g−1; (e) specific capacitance vs current density curves; (f) Nyquist plots
图6. c-MOF、Ti2CTx及Ti2CTx/c-MOF复合材料的电化学性能。(a) 5 mV∙s−1扫速下的CV曲线;(b) 不同扫速下0.25-Ti2CTx/c-MOF的CV曲线;(c) 不同电流密度下0.25-Ti2CTx/c-MOF的GCD曲线;(d) 0.5 A·g−1电流密度下的GCD曲线;(e) 比电容随电流密度的变化曲线;(f) 奈奎斯特图

Figure 7. The electrochemical properties of 0.25-Ti2CTx/c-MOF symmetric supercapacitor. (a) CV curve at different scan rates; (b) GCD curve at different current densities; (c) specific capacity vs current density curve; (d) 5000-turn cycling stability and coulombic efficiency
图7. 0.25-Ti2CTx/c-MOF对称超级电容器的电化学性能。(a) 不同扫速下的CV曲线;(b) 不同电流密度下的GCD曲线;(c) 比电容随电流密度的变化曲线;(d) 5000圈循环稳定性与库伦效率
图6(f)所示为c-MOF、Ti2CTx和Ti2CTx/c-MOF复合电极的EIS测试结果。其中,0.25-Ti2CTx/c-MOF复合电极表现出最小的电荷转移阻抗(Rct)。这主要归功于该复合材料具有的三维阵列结构,使得电解质离子在复合材料电极与电解液界面传输阻力减小,提高了电解质离子在电极表面的吸/脱附速率。c-MOF的Rct较大,但也只有1.4 Ω,表明其优异的导电性,这与以往的文献中的描述一致 [16] 。
为了进一步评价0.25-Ti2CTx/Ni-MOF复合材料的实际性能,我们对复合材料进行了双电极体系的超级电容器性能测试。我们延续了文中三电极体系测试的电极制作方法,制备了两个负载相同质量0.25-Ti2CTx/c-MOF复合材料的电极作为超级电容器正极和负极,在浓度为1 M Na2SO4电解液中组成对称型超级电容器。
不同扫描速率下的CV曲线如图7(a)所示,与三电极体系相比,对称电容器的CV曲线形状同样呈现近似矩形的形状,表明0.25-Ti2CTx/c-MOF对称电容器突出的双电层电容性质。该结果也在GCD测试结果中得到证实,如图7(b)所示,不同电流密度下的GCD曲线均呈现良好的对称三角形形状。对称电容器表现出了三电极系单个电极1/4的比电容(图7(c))。在3 A∙g−1的大电流密度下,经过5000次充放电循环后,容量保持率为62%,库伦效率始终大于100%,体现了器件良好的循环稳定性和较长的使用寿命(图7(d))。
4. 结论
本文在制备得到高质量的二维MXene(Ti2CTx)的基础上,采用液相原位自组装法在Ti2CTx表面生长c-MOF,制备了Ti2CTx/c-MOF复合材料。考察了不同Ti2CTx含量对复合材料形貌结构及电化学性能的影响。研究结果显示,所有复合材料都具有比Ti2CTx更高的比电容。其中,0.25-Ti2CTx/c-MOF复合材料具有最佳的形貌结构和电化学性能。该材料制备的电极,在0.5 A∙g−1电流密度下具有171 F∙g-1的质量比电容。组装成对称双电极电容器件后,在电流密度为0.5 A∙g-1时,比电容为29.3 F∙g−1。在3 A∙g−1的电流密度下进行了5000次的充放电测试,容量保持率为62%,库伦效率始终大于100%,体现了该器件良好的循环稳定性和较长的使用寿命。这种在多层Ti2CTx材料表面上原位生长c-MOF,并以此来构建三维立体网络结构的方法,为制备MXene/MOF复合材料提供了新的合成思路。