Alternative Techniques to Reduce Interface Traps in n-Type 4H-SiC MOS Capacitors

NO退火对4H-SiC MOS器件栅氧化层TDDB可靠性的影响
Effect of NO Post-Oxide-Annealing on TDDB Reliability of 4H-SiC MOS Oxidation

万彩萍, 王影杰, 张文婷, 王世海, 周钦佩, 许恒宇   

智能电网Vol.8 No.3, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/SG.2018.83032, June 28 2018

碳化硅MOS器件氧化层界面附近碳存在形式的理论研究进展
Theoretical Research Progress of Carbon Existing Forms in the Oxide Layer Interface of SiC MOS Devices

王晓琳, 王方方, 李 玲, 郑 柳, 秦福文, 朱韫晖, 李永平, 刘 瑞, 杨 霏, 王德君   

智能电网Vol.6 No.1, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/SG.2016.61002, February 22 2016

Ti(20 nm)/Al(30 nm)/P型4H-SiC LDMOSFET欧姆接触的改善
The Improvement of Ohmic Contacts Property in P-Type 4H-SiC LDMOSFET Using Ti(20 nm)/Al(30 nm) Electrodes

裴紫微, 陈 晨, 杨 霏, 许恒宇, 张 静, 万彩萍, 刘金彪, 李俊峰, 金 智, 刘新宇   

智能电网Vol.5 No.6, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/SG.2015.56036, December 30 2015

4H-SiC高温激活退火对F离子扩散的影响
Effect of High-Temperature Activation Annealing on F Ion Diffusion in 4H-SiC

万彩萍, 王世海, 周钦佩, 许恒宇    科研立项经费支持

智能电网Vol.8 No.1, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/SG.2018.81002, February 6 2018

锂离子电容器电极材料的研究进展
Research Progress in Electrode Materials for Lithium-Ion Capacitors

杨恩东, 许检红, 丁佳佳, 丁继华, 刘立忠    国家自然科学基金支持

分析化学进展Vol.13 No.4, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/AAC.2023.134043, November 1 2023

MoS₂薄膜摩擦磨损性能及摩擦微观机制研究
Investigation on the Friction-Wear Properties and Tribological Microscopic Mechanism of MoS₂ Films

杨保平, 薛 勇, 张 斌, 强 力, 梁爱民    国家自然科学基金支持

材料科学Vol.7 No.3, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/MS.2017.73054, May 27 2017