Wang, Z.G., Zhang, Y., Wang, Y.J., et al. (2014) Magnetoelectric assisted 180o magnetization switching for electric field addressable writing in magnetoresistive random-access memory. ACS Nano, 8, 7793-7800.

相关文章:
在线客服:
对外合作:
联系方式:400-6379-560
投诉建议:feedback@hanspub.org
客服号

人工客服,优惠资讯,稿件咨询
公众号

科技前沿与学术知识分享