G. Horowitz, R. Hajlaoui, D. Fichou and A. E. Kassmi. Gate volt- age dependent mobility of oligothiophene field-effect transistors. Journal of Applied Physics, 1999, 85(6): 3202-3206.

介质厚度不同对碳纳米管场效应晶体管的影响
The Influence of Different Gate Oxide Thickness on Carbon Nanotube Transistors

余文娟    国家自然科学基金支持

应用物理Vol.4 No.5, 全文下载: PDF HTML DOI:10.12677/APP.2014.45011, May 26 2014

氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展
Research Progress of Physical Failure Analysis Techniques for Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors

安蒙恩, 修慧欣   

应用物理Vol.13 No.6, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/APP.2023.136032, June 16 2023

基于单铬酞菁分子自旋场效应管第一性原理研究
First Principles Study on Transport of Single Chromium Phthalocyanine Molecular Spin Field Effect Transistor

张 洋, 尹海涛   

应用物理Vol.11 No.11, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/APP.2021.1111046, November 30 2021

一种限域生长有机半导体晶体的方法
A Method for Growing Organic Semiconductor Crystals in Limited Area

于亚民, 张 茜    国家自然科学基金支持

纳米技术Vol.10 No.1, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/NAT.2020.101001, February 10 2020

r-一致D-超图的最大边数
The Maximum Number of Hyperedges of An r-Uniform D-Hypergraph

朱义坪, 熊亚萍   

应用数学进展Vol.9 No.1, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/AAM.2020.91013, January 15 2020

Rb₆C₆₀的解析状态方程及热力学性质
Analytic Equation of State and Thermodynamic Properties of Rb₆C₆₀

杨 维    科研立项经费支持

应用物理Vol.3 No.5, 全文下载: PDF HTML DOI:10.12677/APP.2013.35019, July 1 2013